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9.1 高效晶体硅电池技术-表面织构  

2012-09-04 09:35:48|  分类: 新能源 |  标签: |举报 |字号 订阅

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减少入射光学损失是提高电池效率最直接方法。化学腐蚀工艺是最成熟的产业化生产技术,也是行业内最广泛使用的技术,工艺门槛低、产量大;但绒面质量不易控制、不良率高,且减反射效果有限(腐蚀后的反射率一般仍在11%以上),并产生大量的化学废液和酸碱气体,非环境友好型生产方式。反应离子刻蚀技术(RIE)是最有发展前景的技术,它首先在硅片表面形成一层MASK(掩膜)再显影出表面织构模型,然后再利用反应离子刻蚀方法制备表面织构。用这种方法制备出的减反射绒面非常完美,表面反射率最低可降至0.4%,单多晶技术统一,生产工艺与设备都可移植于IC工业,如果生产成本能够进一步降低可望取代化学腐蚀方法而大规模使用。京瓷产业化17.2%~17.7%的多晶硅电池就是采用等离子刻蚀工艺的一个成功典范。

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